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产品应用

MOCVD原理:

MOCVD是以III组、II族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。


MOCVD优点:

- 适用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体;

- 非常适合于生长各种异质结构材料;

- 可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡;

- 生长易于控制;

- 可以生长纯度很高的材料;

- 外延层大面积均匀性良好;

- 可以进行大规模生产。

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